最近几年，Intel以大小单双平台前所大小单双平台未有的幅度推动优秀芯片制造工艺，期待在最短的时间内赶超tsmc，重大小单双平台夺领先水平，如今又严格执行了那一路线，特别是想要根据将来的14A 1.4nm级加工工艺，不久的将来巩固自己的领先水平。
现阶段，Intel已经大小单双平台按照计划发挥其"四年五个制造连接点大小单双平台"目标，Intel 7加工工艺、选用EUV极紫外光刻科技的Intel 4和Intel 3都已完成大规模量产。
在其中，Intel 3做为全新升级，用于服务器的Sierra Forest、Granite Rapids，将于今年陆续发布，在其中前面一种初次采用纯E核设计方案，较多288个。
Intel 20A和Intel 18A2个连接点已经顺利开展中，各自等同于2nm、1.8nm，将继续采用EUV技术大小单双平台性，并应用RibbonFET全围绕大小单双平台栅压晶体三极管和PowerVia反面供电技术。
凭着他们2个，Intel希望在2025年重夺制造领先性。
以后，Intel将继续采用新技术应用，推动将来制造节点开发设计和生产，以巩固领先性。
其中一个关键环节便是High NA EUV技术性，而数值孔径（NA）恰好是考量收集集中化光源水平指标。
根据更新将掩膜里的电源电路图型反射到硅晶圆里的光学元件，High NA EUV光刻工艺可以大幅度提高屏幕分辨率，从而有助大小单双平台于晶体管的进一步微型。
做为Intel 18A以后的下一个先进制程连接点，Intel 14A 1.4nm级就把选用High NA EUV光刻工艺。
为了制造出特征尺寸较小的晶体三极管，在集成化High NA EUV光刻工艺的前提下，Intel同样在同歩推出新的晶体三极管构造，并改进加工工艺流程，如通过PowerVia反面供电技术降低流程、优化流程。
除此之外，Intel还公布了Intel 3、Intel 18A、Intel 14A的多个演变版本号，以帮助企业开发设计和交付符合其特殊个性化的需求。
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7450邓宇轩
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27110魏悠悠
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李雨萱: