最近几年，Intel以前大发计划所未有的幅度推动优秀芯片制造工艺大发计划，期待在最短的时间内赶超tsmc，重夺领先水平大发计划，如大发计划今又严格执行了那一路线，特别是想要根据将来的14A 1.4nm级加工工艺，不久的将来巩固自己的领先水平。
现阶段，Intel已经按照计划发挥其"四年五个制造连接点"目标，Intel 7加工工艺、选用大发计划EUV极紫外光刻科技的Intel 4和Intel 3都已完成大规模量产。
在其中，Intel 3做为全新升级，用于服务器的Sierra Forest、Granite Rapids，将于今年陆续发布，在其中前面一种初次采用纯E核设计方案，较多288个。
Intel 20A和Intel 18A2个连接点已经顺利开展中，各自等同于2nm、1.8nm，将继大发计划续采用EUV技术性，并应用RibbonFET全围绕栅压晶体三极管和PowerVia反面供电技术。
凭着他们2个，Intel希望在2025年重夺制造领先性。
以后，Intel将继续采用新技术应用，推动将来制造节点开发设计和生产，以巩固领先性。
其中一个关键环节便是High NA EUV技术性，而数大发计划值孔径（NA）恰好是考量收集集中化光源水平指标。
根据更新将掩膜里的电源电路图型反射到硅晶圆里的光学元件，High NA EUV光刻工艺可以大幅度提高屏幕分辨率，从而有助于晶体管的进一步微型。
做为Intel 18A以后的下一个先进制程连接点，Intel 14A 1.4nm级就把选用High NA EUV光刻工艺。
为了制造出特征尺寸较小的晶体三极管，在集成化High NA EUV光刻工艺的前提下，Intel同样在同歩推出新的晶体三极管构造，并改进加工工艺流程，如通过PowerVia反面供电技术降低流程、优化流程。
除大发计划此之外，Intel还公布了Intel 3、Intel 18A、Intel 14A的多个演变版本号，以帮助企业开发设计和交付符合其特殊个性化的需求。
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